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阮永豐
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期刊論文
中子輻照6H-SiC晶體的光學性質及缺陷分析
硅酸鹽學報，第42卷第3期，2014年3月，-0001，（）：
利用透射電子顯微鏡、紫外-可見-近紅外光譜以及拉曼光譜，對經受了劑量為1.67×1020 n/cm2的中子輻照的n型半導體6H-SiC晶體進行了微觀結構、光學性質及退火過程的研究。結果顯示，輻照并沒有造成樣品的完全非晶化，輻照缺陷主要是點缺陷及其聚集體。輻照后的樣品的光吸收明顯增加，帶隙變小，烏爾巴赫能量變大，且在1178nm，1410nm，1710nm處出現新的吸收峰。1178nm峰和1410nm峰的出現歸因于輻照產生的Si空位。對輻照樣品進行了室溫至1600℃退火，發現800℃是退火過程的轉折點。低于800℃退火時，樣品中的弗蘭克爾對、間隙原子和VC消失；高于800℃退火時，VSi逐漸消亡，或轉化為更穩定的復雜缺陷團。為了解釋與VSi有關的多個光譜峰，建立了SiC中硅空位的“類鈹原子模型”。
【免責聲明】以下全部內容由[阮永豐]上傳于[2017年03月25日 14時05分03秒]，版權歸原創者所有。本文僅代表作者本人觀點，與本網站無關。本網站對文中陳述、觀點判斷保持中立，不對所包含內容的準確性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保證。請讀者僅作參考，并請自行承擔全部責任。
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